Montage Type
Oppervlaktebevestiging
Beschrijving
PB-F vermogen mosfet transistor ps-
plaats van herkomst
Mexico
Werktemperatuur
-40 ~ 170 ℃
Supplier Type
Originele fabrikant
Media Beschikbaar
Datasheet
Huidige-Collector (Ic) (Max)
N/a
Voltage-Collector Emitter Afbraak (Max)
N/a
Vce Verzadiging (Max) @ Ib, Ic
N/a
Huidige-Collector Cutoff (Max)
N/a
DC Stroom Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/a
Bedrijfstemperatuur
-55 ~ 170 ℃
Mounting Type
Surface Mount
Weerstand-Emitter Base (R2)
N/a
Afvoer naar Bron Voltage (Vdss)
40 v
Huidige-Continue Drain (Id) @ 25 °C
5a (ta)
Rds Op (Max) @ Id, Vgs
N/a
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs
N/a
Input Capaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
N/a
Huidige Rating (Amps)
N/a
Drive Voltage (Max Rds Op, Min Rds Op)
6v, 10v
Vce (op) (Max) @ Vge, Ic
N/a
Input Capaciteit (Cies) @ Vce
N/a
Voltage-Afbraak (V (BR) GSS)
N/a
Huidige-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/a
Huidige Drain (Id)-Max
N/a
-Voltage Cutoff (VGS off) @ Id
N/a
Huidige-Gate Anode Lekkage (Igao)
N/a
